| 中文摘要Abstract in Chinese |
目的 探讨电针对APP/PS-1转基因小鼠海马神经元突触损伤及对CREB/BDNF信号通路的影响.方法 将7月龄APP/PS-1转基因小鼠随机分为模型组、电针组及药物组,每组10只;另取10只同龄C57BL/6小鼠作为对照组.电针组针刺百合、印堂穴,并接入电针仪,20 min/次/天,共治疗15天;药物组给予盐酸多奈哌齐灌胃治疗;对照组及模型组不予以治疗.Morris水迷宫检测各组小鼠学习记忆能力;筑巢实验检测小鼠智力改变;尼式染色检测各组小鼠海马尼氏体变化;Western blot检测小鼠海马区SYN、PSD95、GAP43、CREB、p-CREB及BDNF蛋白表达.结果 Morris水迷宫结果显示,与对照组相比,模型组小鼠逃避潜伏期增加,穿越平台次数减少,在目标象限停留时间减少;电针及药物组小鼠逃避潜伏期减少,穿越平台次数增加,在目标象限停留时间延长.模型组筑巢分数较对照组明显降低,电针及药物组小鼠筑巢分数明显增加.电针及药物组小鼠海马区神经元排列整齐且尼氏体数量增加,SYN、PSD95及GAP43蛋白表达增加.电针及药物组小鼠海马区p-CREB及BDNF蛋白表达较模型组增加.结论 电针减轻小鼠海马神经元突触损伤,改善APP/PS-1转基因小鼠的学习记忆能力,可能与调控CREB/BDNF信号通路相关蛋白表达有关. |
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